| 【部分正文預(yù)覽】 | 應(yīng)用動(dòng)態(tài)膜技術(shù)回收半導(dǎo)體廠晶片切割廢水,研究了動(dòng)態(tài)膜的形成條件及其水處理效果.通過(guò)恒壓過(guò)濾形成動(dòng)態(tài)膜:恒壓過(guò)濾壓差5 kPa,曝氣強(qiáng)度10 L/min,過(guò)濾高濃度（TS=1 800 mg/L）含硅廢水,形成了均勻而阻力較小的動(dòng)態(tài)膜;之后在一定的過(guò)濾運(yùn)行條件下,研究膜過(guò)濾低濃度晶片切割廢水的運(yùn)行周期和水處理效果:要處理的廢水TS（總固形物）=40mg/L,恒速過(guò)濾濾速為0.6 m/d,曝氣量為15 L/min.結(jié)果表明:該動(dòng)態(tài)膜可保護(hù)基膜不被污染,維持較長(zhǎng)的過(guò)濾周期,穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)間達(dá)260360 h.膜過(guò)濾單元中的TS（總固形物）可被濃縮達(dá)到1 200 mg/L.動(dòng)態(tài)膜對(duì)原水濁度、TS的去除效果很好,產(chǎn)水水質(zhì)穩(wěn)定,濁度為0.14NTU,TS幾乎為0,SDI15為0.5,電導(dǎo)率為12μS/cm,滿足反滲透深度處理的進(jìn)水要求.當(dāng)壓力上升至14 kPa時(shí),排出濃縮液、用產(chǎn)水沖刷清洗基膜表面的濾餅層,以回收高純硅,同時(shí)基膜經(jīng)過(guò)擦洗后通量可以完全恢復(fù). |
