介紹了正電子湮沒技術在高分子薄膜研究中的最新進展.常規的正電子湮沒技術和慢正電子湮沒技術,可以準確地探測高分子薄膜微觀缺陷(自由體積)尺寸、分數、濃度、深度分布,該測試技術將在研究各種高分子薄膜的微結構-性能關系、表面效應、界面效應等方面發揮積極的作用.